Características

  • Gama de energias: entre 5keV e 210keV para feixes mono-ionizados
  • Corrente de feixe: até 10mA
  • Focagem e varrimento magnético do feixe
  • Temperatura de implantação: entre -150 e 700 ºC
  • Área de implantação: até 40x40cm

Layout





Feixes de iões já obtidos

Correntes de feixe (µA):
< 10 10-50 50-100 100-500 > 500

H He
Li Be B C N O F Ne
Na Mg Al Si P S Cl Ar
K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr
Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe
Cs Ba La Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg Tl Pb Bi Po At Rn
Fr Ra Ac
Ce Pr Nd Pm Sm Eu Gd Tb Dy Ho Er Tm Yb Lu
Th Pa U Np Pu Am Cm Bk Cf Es Fm Md No Lr







Registo de implantações








Envio de pedido de implantação por e-mail

É possível enviar pedidos de implantações por e-mail, bastando para isso clicar em baixo, em 'Enviar pedido' e preencher os items com os dados para a implantação pretendida.


Nota:
o envio dum pedido de implantação não dispensa a necessária autorização junto do responsável do L.F.I. para que esta se realize.









Alguns artigos publicados

Estes artigos estão relacionados unicamente com melhoramentos efetuados no implantador, não são portanto referidos todos os outros artigos relacionados com implantações feitas, resultados obtidos, etc.







Fotos


Vista geral

Fonte de iões

Tubo acelerador

Câmara de implantação

Sistema de desaceleração
Ângulo de incidência: 0º

Sistema de desaceleração
Ângulo de incidência: 30º

Implantação de amostras de
GaN e AlN com feixe de H+

1992 - Recinto antes
da instalação do implantador

1992 - Após a
instalação do implantador

1999 - com vista
da fonte de iões

2003 - Instalado um andar
para o uso da fonte de forno

2004 - Instalada
a cobertura